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MOS集成电路生产过程中防静电的讨论

Discussion on the Protection from Static in MOS Integrated Circuit Process
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摘要 本文分析了MOS集成电路的静电击穿机理。 This paper treats the principle of static puncture in MOS integrated circuit and presents (provide) the measures to protect against static in the process of MOS Integrated Circuit Production to manufacturers.
作者 潘广问
出处 《半导体杂志》 1996年第3期48-49,共2页
关键词 静电击穿 防静电 MOS集成电路 Static puncture,Protection from static
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