MOS集成电路生产过程中防静电的讨论

Discussion on the Protection from Static in MOS Integrated Circuit Process

下载PDF

导出

摘要本文分析了ＭＯＳ集成电路的静电击穿机理。 This paper treats the principle of static puncture in MOS integrated circuit and presents (provide) the measures to protect against static in the process of MOS Integrated Circuit Production to manufacturers.

作者潘广问

机构地区襄樊大学物理教研室

出处《半导体杂志》 1996年第3期48-49,共2页

关键词静电击穿防静电 MOS集成电路 Static puncture,Protection from static

分类号 TN432.05 [电子电信—微电子学与固体电子学]

引文网络
相关文献

1黄伟谷.集成电路静电击穿的保护[J].长岭技术与经济,1992(3):56-63.
2樊庆芝.场效应管静电击穿及其防护[J].电子质量,1992(3):42-43.
3罗宏昌.半导体器件静电击穿及其规律[J].LSI制造与测试,1997,18(2):19-21.
4井川芳郎.半导体器件生产工艺中防静电措施[J].LSI制造与测试,1996,17(3):15-18.
5周维铎.电子行业防静电措施[J].印制电路与贴装,2001(5):50-54.
6王丽娟,王百金.TFT制作中静电击穿的研究[J].长春理工大学学报（自然科学版）,2004,27(1):74-76. 被引量：1
7李欣欣,龙春平,王威.TFT-LCD工艺与静电击穿[J].现代显示,2007(3):59-63. 被引量：6
8薛志成.VCD机激光头常见故障及维修[J].家庭电子,2005(05X):20-20.
9薛志成.VCD机激光头常见故障维修[J].家电检修技术,2005(06S):21-21.
10王洪冬.电能表电磁兼容设计[J].上海计量测试,2014,41(2):25-28. 被引量：4

半导体杂志

1996年第3期

浏览历史

内容加载中请稍等...

MOS集成电路生产过程中防静电的讨论

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史