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摘要 利用涂层驱散凝结的雾气;GaN FET在6GHz频率条件下可产生174W功率;使用分层电介质提高微带线转接板前端天线性能;
出处 《电子设计技术 EDN CHINA》 2005年第12期32-32,共1页 EDN CHINA
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