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部分耗尽SOIMOSFET中的浮体效应 被引量：3

Floating Body Effects in Partially Depleted SOI MOSFET's
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摘要 介绍了部分耗尽SOIMOSFET中的浮体效应;简要描述了浮体效应的物理机制、测试结果,以及减小浮体效应的方法;同时,给出了在有体接触的情况下出现kink效应的测试结果。 Floating body effects in partially depleted SOl MOSFET＇s are dealt with. Physical mechanism of the floating body effect is briefly described, Its test results and control methods are discussed. And finally, test results of kink effect with body tied to the source are also presented,
作者 彭力 洪根深
机构地区 无锡微电子科研中心IC工艺实验室
出处 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期597-599,611,共4页 Microelectronics
关键词 SOI MOSFET 浮体效应 KINK效应 SOI MOSFET Floating body effect Kink effect
分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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参考文献7

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引证文献3

微电子学
2005年 第6期

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