摘要
文章报导了采用液相外延(LPE)生长P型材料、B离子注入成结、全干法深台面刻蚀、深台面侧向钝化及电极引出技术制备出中波320×256HgCdTe微台面阵列结构,其相元中心距为30μm,截止波长为5.0μm。
A new MWIR 320 × 256 HgCdTe micro-mesa device fabricated by LPE P-type HgCdTe film growth, B ion implantation, deep mesa dry-etching, side-wall passivation and metallization technologies axe reported. The pixel pitch is only 30μm ,and the cut-off wavelength is 5.0μm.
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第11期826-828,共3页
Laser & Infrared
