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半导体缺陷的研究进展
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摘要
第10届“半导体中扩展缺陷”国际学术会议于2004年9月12日在俄罗斯莫斯科举行,共有150多名代表参加。会议主席是著名硅晶体位错研究专家、俄罗斯科学院固体物理研究所所长V.Kvedel(克维德)教授,会议国际顾问委员会由著名半导体材料与物理专家Pizzini、Cavanili、Jones等教授组成。
作者
杨德仁
机构地区
浙江大学硅材料国家重点实验室
出处
《国际学术动态》
2005年第6期30-31,共2页
International Academic Developments
关键词
半导体缺陷
国际学术会议
俄罗斯科学院
物理研究所
半导体材料
扩展缺陷
第10届
莫斯科
硅晶体
委员会
分类号
TN3-27 [电子电信—物理电子学]
O3-27 [理学—力学]
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国际学术动态
2005年 第6期
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