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半导体缺陷的研究进展 被引量:1

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摘要 第10届“半导体中扩展缺陷”国际学术会议于2004年9月12日在俄罗斯莫斯科举行,共有150多名代表参加。会议主席是著名硅晶体位错研究专家、俄罗斯科学院固体物理研究所所长V.Kvedel(克维德)教授,会议国际顾问委员会由著名半导体材料与物理专家Pizzini、Cavanili、Jones等教授组成。
作者 杨德仁
出处 《国际学术动态》 2005年第6期30-31,共2页 International Academic Developments
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