摘要
干法腐蚀就是离子体取代化学腐蚀液，把基体暴露在”活性状态”的气体中，利用气体中的离子和基体原子间的物理和化学作用引起刻蚀。主要包括等离子体腐蚀、溅射腐蚀和反应离子腐蚀（RIE）等。等离子体腐蚀就是利用反应气体在电场加速作用下形成的等离子体中的活性基，与被腐蚀材料表面发生化学反应，形成挥发性物质并随气流带走。
出处
《导航与控制》
2005年第4期12-12,共1页
Navigation and Control
同被引文献9
-
1孙洪强,徐宇新（审核）.湿法腐蚀工艺[J].导航与控制,2005,12(4):42-43. 被引量：1
-
2Than O,Buttgenbach S.Simulation of anisotropic chemical etching of crystalling silicon using a cellular automata model [J].Sensors and Actuators A,1994,45:85-88.
-
3Zhenjun Zhu,Chang Liu.Micromachining process simulation using a continuous cellular automata method [J].Journal of Microelectromechanical Systems,2000,9(2):252-261.
-
4Danel J S, Delapierre G. Anisotropic crystal etching: a simulation program[J]. Sensors and Actuators A, 1992,31:267 - 274.
-
5Gosalvez M A,Nieminen R M,Kilpinen P,et al. Anisotropic wet chemical etching of crystalline silicon: atomistic Monte-Carlo simulations and experiments[J]. Applied Surface Science,2001,178:7 - 26.
-
6Zhu zhenjun, Liu chang. Anisotropic crystalline etching simulation using a continuous cellular automata algorithm[J]. Journal of Computer Modeling Engineering Science,2000(1) :11 - 19.
-
7UIUC MASS Group. ACES home[EB/OL]. [1999-08-12]. http://mass.micro.uiuc.edu/research/completed/aces/pages/home.html.
-
8北京大学微电子研究院．IMEE CAD系统[EB／OL]．[1999-02-15]．http://ime.pku.edu.cn/mems/.
-
9黄良甫,贾付云.微机电系统的加工技术及其研究进展[J].真空与低温,2003,9(1):1-5. 被引量：6
-
1李建中.光电子器件制作中的干法腐蚀[J].薄膜科学与技术,1991,4(3):115-118.
-
2袁璟.在3英寸的InP衬底上使用光化学选择性干法凹槽腐蚀高平整度的N-InAlAs/InGaAs HEMT[J].电子器件,1993,16(2):103-106.
-
3曹均凯.干法腐蚀损伤研究[J].半导体光电,1990,11(3):280-285.
-
4袁明文.干法腐蚀[J].半导体情报,1991,28(1):55-64.
-
5李建中.氩离子在反应离子腐蚀Ⅲ-Ⅴ族材料中的作用[J].Journal of Semiconductors,1990,11(12):937-941. 被引量：1
-
6K.Y.Toug,付文杰.用CHF_3进行SiO_2反应离子腐蚀后Si表面的电特性[J].半导体情报,1992(2):61-63.
-
7李建中,陈纪瑛,赵长威.用反应离子腐蚀技术制作DFB激光器中的光栅[J].高技术通讯,1991,1(11):1-3.
-
8张大立,潘宏菽.干法腐蚀在硅微波功率晶体管研制中的应用[J].半导体技术,2004,29(5):75-77.
-
9袁明文.全自动反应离子腐蚀3英寸GaAs片实验研究[J].半导体情报,1996,33(6):27-29.
-
10宋登元.GaN蓝色激光二极管的研究进展[J].激光杂志,1999,20(6):1-3.
