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Alq_3厚度以及沉积速率对OLED性能的影响 被引量:6

Effect of Thickness and Deposit Speed on the Performance of OLED
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摘要 以ITO为透明电极,NPB为空穴传输层,Alq_3为发光层,制备出ITO/NPB/Alq_3/LiF/Al结构的有机电致发光显示器。通过比较Alq_3发光层厚度以及沉积速率对OLED的亮度、发光效率的影响,确定了Alq_3层的厚度为65nm,沉积速率为0.3nm/s,得到起亮电压为3.01V、发光亮度为12800cd/m2、发光效率达到4.421cd/A的器件,并对其影响因素进行了分析。 Organic light-emitting device (OLED) based on Alq3 emitting layer, ITO transparent anode and NPB hole transport layer were fabricated. The structure was ITO/NPB/Alq3/LiF/A1. Optimized thickness 65 nm and deposit speed 0.3 nm/s were confirmed through the comparison of brightness and luminescent efficiency with different thickness and deposit speed of Alq3. The threshold voltage 3.01 V, brightness 12 800 cd/m^2, efficiency 4. 421 cd/A were achieved. In addition, influence factors were analyzed.
出处 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期508-511,共4页 Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays
基金 国家自然科学基金资助项目(No.20476054) 陕西省教育厅专项研究基金资助项目(No.03JK1610)
关键词 OLED ALQ3 厚度 沉积速率 OLED Alq3 thickness deposit speed
  • 相关文献

参考文献10

二级参考文献62

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共引文献118

同被引文献41

引证文献6

二级引证文献11

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