摘要
本文介绍了一种采用微机械技术形成的电容压力传感器。在设计上采用完全对称的三层结构,从而较好地消除了由温度特性不匹配造成的漂移。利用Diode-quad接口电路的输出增益反馈方式基本消除了器件固有的非线性,使传感器的精度大大提高。
Described in this paper is a micromachined siliconcapacitive pressure sensor. The temperature drift of the sensor due to thermal mismatch is e-liminated by adopting a symmetric 3-layer structure, and the inherent nonlin-earity is reduced by output-gain-feedback. Therefore, the measuring accuracy is much improved.
出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
1996年第10期7-10,共4页
Instrument Technique and Sensor
基金
八五攻关项目
国家自然科学基金
关键词
电容
压力传感器
传感器
硅电容
Micromachining, Capacitive, Pressure Sensor.
