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英特尔半导体新工艺电漏降千倍
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摘要
英特尔将对外公布一项晶体管新技术,与该公司当前标准工艺相比,采用新型超低电流65纳米工艺的晶体管电流泄漏又降低了1000倍左右。
出处
《电子元器件应用》
2005年第12期128-128,共1页
Electronic Component & Device Applications
关键词
纳米工艺
英特尔
半导体
电流泄漏
晶体管
低电流
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TS952.83 [轻工技术与工程]
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电子元器件应用
2005年 第12期
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