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英特尔半导体新工艺电漏降千倍

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摘要 英特尔将对外公布一项晶体管新技术,与该公司当前标准工艺相比,采用新型超低电流65纳米工艺的晶体管电流泄漏又降低了1000倍左右。
出处 《电子元器件应用》 2005年第12期128-128,共1页 Electronic Component & Device Applications
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