国家“十一五”将重点发展17类新材料

首先是硅基微纳电子材料。我国将发展2～3个满足100～45nm线宽集成电路需求的8英寸、12英寸硅单晶、晶片和外延片的高技术产业基地，形成年产3000t多晶硅的生产能力，以及进行6～8英寸SOI、SiGe／Si和应变硅材料示范工程建设。