TPS79918 RF LDO 可技持向StrataFlash嵌入式存储器（P30）的升级

介绍 德州仪器（TI）TPS79918低压降线性稳压器（LDO）可为英特尔（Intel）新型StrataFlash P30嵌入式存储器提供核心动力所需的性能Intel正在将其采用0.18微米工艺的第三代StrataFlash嵌入式存储器（J3）升级至采用0．13微米的第四代StrataFlash嵌入式存储器（P30）。此新型嵌入式存储器已将所需Vcc电压降至1.8V，因此存储器从J3升级至P30可使得系统的总体工作电流消耗较低。Intel在其应用手册AP812（文档编号306667 Rev2）中建议使用LDO提供新的1.8V电压轨。