摘要
将硫脲溶液用于GaAs/InP基材料低温晶片键合的表面处理工艺,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的低温(380℃)晶片键合。并通过界面形貌,解理后断裂面,键合强度及键合界面I-V特性对键合晶片进行了分析。
The low temperature bonding of GaAs/InP wafers is successfully realized by a new surface treatment. In this method, the surfaces of two wafers are etched by H2NCSNH2 solution. The bonded wafers are analyzed through the bonding strength, interface I-V curve and the interface shape.
出处
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期512-514,共3页
Semiconductor Optoelectronics
基金
国家"973"计划资助项目(2003CB314902)
国家自然科学基金重点项目(90201035)
国家自然科学基金重大研究计划项目(90104003)
教育部重点资助项目(02028)
