摘要
全国第二届微波集成电路及工艺学术交流会与新材料、新器件、新设备展示会于1988年11月10日至15日在福建省泉州市召开,六十多个单位的代表84人,进行了微波集成电路设计与研制的学术交流。 大会报告反映了微波集成电路设计和工艺发展的新趋向,代表半导体集成电路高新技术的砷化镓微波单片电路和片式微波元件受到人们的注意。南京电子器件研究所报告的“微波单片集成电路设计中的一些考虑”和“单片电路、场效应管生产技术和成品率”两个题目,介绍了下一代微波产品的概貌,并追溯技术演进历史,论述了设计概貌和制备特征。单片电路完全立足于半导体工艺,可以实现良好性能、合理的成品率与可接受的价格三者结合。胡南山所作的报告“片式元件及其在微波集成电路中的应用”综述了片式元件从低频发展到高频应用的现代技术趋向,其优点是使电路简化,成本降低,更加适合微波电路大量生产与推广应用,必将推动混合集成电路的设计和制备向片式形态发展。
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第2期223-224,共2页
Research & Progress of SSE