摘要
本文阐述了等离子体工艺在硅粉提纯方面的应用，在真空条件下，利用ＨＣｌ或含氯气体化合物，经射频辉光放电形成等离子体与硅粉中的杂质反应，可以在较低的温度下（２００℃～４００℃）、较短的时间（１～２小时）内，除去硅粉中的大部分杂质，而且操作简单，功耗较低。
Low temperature plasma technology is applied in the purification of silicon material. Under the condition of r. f. glow discharge plasma, the active gases which include HCl enhances the process of purification reactions. With low experiment temperature (200℃-400℃) and short experiment time (1-2 hours),most of impurities in the silicon have been removed off.
出处
《微细加工技术》
1996年第1期44-48,共5页
Microfabrication Technology
基金
国家自然科学基金
关键词
等离子体
半导体材料
硅粉
提纯
plasma
silicon material
gas-solid reaction
purification Supported by National Natural Science Foundation of China
