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脉冲激光沉积技术制备Li_2O-V_2O_5-SiO_2薄膜 被引量：1

Li2 O-V2 Os-SiO2 Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition
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摘要 采用355nm脉冲激光沉积(PLD)技术,以Li6.16V0.61Si0.39O5.36为靶材制备Li2O-V2O5-SiO2薄膜,考察了反应气氛压强、激光能量密度、基片温度等对薄膜结构和性质的影响。结果表明,随着基片温度升高及激光能量密度增大Li2O-V2O5-SiO2薄膜更致密,且室温离子电导率随之增大。在O2压强6.7Pa、激光能量密度12J/cm2和基片温度300℃条件下制备了室温离子电导率为4×10-7S/cm、离子迁移数接近1.0(tion>99.99%)、厚度均匀、无针孔和裂缝的非晶态Li2O-V2O5-SiO2薄膜。
作者 赵胜利 文九巴 杨继斌 秦启宗
机构地区 河南科技大学材料学院 水利部小浪底发电厂 复旦大学激光化学研究所
出处 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期16-19,共4页 Transactions of Materials and Heat Treatment
基金 国家自然科学基金项目(20083001) 河南科技大学人才科研基金项目(04015) 河南科技大学青年科研基金项目(2004QN010)
关键词 电解质 Li2O-V2O5-SiO2 薄膜 锂电池 PLD
分类号 TM911 [电气工程—电力电子与电力传动] O614.111 [理学—无机化学]
  • 相关文献

参考文献10

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引证文献1

材料热处理学报
2005年 第6期

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