低阈值二段电极InGaAsP/InP双稳激光器
出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
1996年第7期91-91,共1页
Laser & Optoelectronics Progress
-
1吴正茂,夏光琼,陈建国.吸收区偏置对双稳半导体激光器输出特性的影响[J].半导体光电,1995,16(4):339-342.
-
2赵建和,吴荣汉.双区共腔双稳激光器超短光脉冲输出特性分析[J].Journal of Semiconductors,1990,11(1):35-41.
-
3张权生,石志文,杜云,颜学进,赵军.InGaAsP/InP MQW电流控制型双稳/非线性增益开关激光器[J].Journal of Semiconductors,1996,17(11):813-816. 被引量:1
-
4晏绪光,郑令.光输出反馈损耗调制型双稳激光器的半经典理论[J].量子电子学,1993,10(3):204-214. 被引量:1
-
5石家纬,金恩顺.组合光双稳半导体激光器的光逻辑门[J].Journal of Semiconductors,1991,12(4):245-247.
-
6张权生,吴荣汉,林世鸣,高洪海,高文智,吕卉,韩勤,段海龙,杜云,芦秀玲.低阈值InGaAsP/InP PBH双稳激光器[J].Journal of Semiconductors,1992,13(2):103-108. 被引量:4
-
7李长英,张长信,郭韵,赵鹏涛.GaAs/GaAlAs 单量子阱双区共腔激光器双稳特性与开关效应[J].大连理工大学学报,1997,37(S2):25-25.
-
8张权生,吕卉,杜云,马朝华,吴荣汉,高洪海,高文智,芦秀玲.InGaAsP/InP PBH双区共腔双稳激光器的H^+轰击掩膜研究[J].Journal of Semiconductors,1993,14(9):562-567.
-
9激光器系统与技术[J].中国光学,1998(6):13-18.
-
10吕鸿昌,罗斌,孙红霞,陈建国.用单一表达式研究由两腔组成的半导体激光器[J].半导体光电,1998,19(2):71-74.
;