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V-P-Fe系临界温度电阻的组份比分析 被引量:1

Analysis of component proportion of critical temperature resistor of V-P-Fe system
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摘要 分析了临界温度电阻(CTR)各组份所起的作用,研究了3种样品的测量结果对应的电阻温度特性曲线,比较其不同组份的导电特性,得出在制作CTR时较为合适的各组份之比例V2O5∶P2O5∶Fe2O3=3∶1∶1和各组份相互牵制相互影响的关系:P2O5的量影响VO2微晶的稳定,也会影响Fe2O3的变价和电子的传导;在T>TC时,Fe2O3的量影响VO2导体性能,在T<TC时,影响CTR的平均导电性能。 After analyzing a part plaied by each components of critical temperature resistor ( CTR ), studying corresponding resistauce-temperature characteristic curve of the measurement results of three samples, and comparing electric conduction characteristic of different ports, the appropriate proportion has been known , that is, when CTR is manufactured, V2O5:P2 O5:Fe2 O3 = 3: 1: 1. The relationship of each part of components when they' re interacting is also been known. The quantity of P2 O5 affects the stability of VO2 crystallite and also affects the valence of Fe2O3 ,and it' s electronic conduction. The quantity of Fe2O3 affects the conductor performance of VO2 when T〉 Tc ,and it affects the average electric conductivity of the CTR when T〈 Tc.
出处 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2006年第1期25-26,29,共3页 Transducer and Microsystem Technologies
基金 江苏省高校自然科学基金资助项目(02KJD510011)
关键词 临界温度电阻 临界特性 阻温特性 critical temperature resistor(CTR) critical characteristic resistance-temperature characteristic
  • 相关文献

参考文献2

二级参考文献3

  • 1周东祥,半导体陶瓷及其应用,1991年,6页
  • 2莫以豪,半导体陶瓷及其敏感元件,1983年,10页
  • 3王兴斌(译),电子陶瓷基础和应用,1983年,5页

共引文献7

同被引文献3

  • 1王惠,甘朝钦,吴宗汉,张明德.V-P-Fe系CTR的导电模型[J].南京师范大学学报(工程技术版),2005,5(4):1-3. 被引量:2
  • 2Rata A D, Chezan A R, Haverkort M W, et al. Growth and properties of strained VOx thin films with controlled stoichiometry [J]. Phys Rev B, 2004, 69(7): 121-131.
  • 3孙健,甘朝钦,刘英,吴宗汉.V-P-Fe系CTR的研制[J].应用科学学报,2000,18(2):186-188. 被引量:6

引证文献1

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