硅的热氧化动力学理论

本文是对硅的热氧化动力学理论的发展。现有的硅热氧化动力学理论不能同时描述任意厚度氧化层的生长规律、外加电场对氧化速率的影响和氧化速率与氧分压的依赖关系。本文在考虑氧化层中空间电荷的影响以及离化氧分子O_2^-和离化氧原子O^-同时参与与Si—Si键反应的基础上,提出了一个更为普遍的氧化动力学模型,它可克服现有理论的不足。文中给出了理论与实验结果的比较,并讨论了本动力学模型与其它动力学模型的关系。