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LPE Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InP和Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InAs的生长及其估价 被引量:1

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摘要 将电负性差法估算的Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InP和Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InAs的固相和液相组份数据应用于液相外延生长,均获得了晶格匹配的材料,并首次获得了波长λ>3.5μm的Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InAs异质外延材料。Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InP的固体组份为0.38<x<0.51,0.01<y<0.065.用X射线双晶衍射、光学显微镜和透射电镜(TEM)、电学测试及低温光致发光实验对材料进行了估价。结果表明,这两种材料对于工作在1.3—1.6μm和2.0—4.4μm范围内的光电子器件及其集成有着极其重要的应用前景。
出处 《中国科学(A辑)》 CSCD 1989年第7期769-775,共7页 Science in China(Series A)
  • 相关文献

同被引文献1

  • 1龚秀英,高风升.计算Ⅲ—Ⅴ族三元和四元混晶晶格常数的一个经验公式[J]稀有金属,1983(01).

引证文献1

二级引证文献1

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