期刊文献+

LPEInAsPSb外延层组分分布的均匀性的研究

Studies on Composition Distribution Uniformity of InAsPSb Epitaxy Layer by LPE
下载PDF
导出
摘要 本文采用LPE生长技术,分析、研究了降温、恒温两种方法生长的InAsPSb外延层组分分布。实验结果表明,用恒温方法生长的外延层,P、Sb组分分布均匀不变。 In this paper properties of InAsPSb epitaxy layer grown using both supercooling and stepcooling LPE methods were studied.The solid composition of epitaxial layer was determined by EPMA analysis.The experimental result also indicate that the P and Sb content have almost a constant value for the epitaxy layer grown by the stepcooling LPE method.
出处 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1996年第1期58-61,共4页 Journal of Synthetic Crystals
关键词 化合物半导体 外延生长 外延层分布 均匀性 compound semiconductors LPE InAsPSb composition distribution
  • 相关文献

参考文献1

  • 1王海龙,第六届全国化合物半导体和微波光电器件学术会议论文集,1990年

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部