封面说明——干净的重要性

下载PDF

导出

摘要绝缘基硅晶片（silicon-on—insulator简称SOI）是一种将导电硅膜覆于绝缘氧化硅基底的技术．这种技术目前发展迅猛，广泛地用于高速电子电路和传感器．SOI大部分期望性能依赖于将硅膜做得尽可能薄，但是随着研究者们将硅膜做得越薄，他们就越担心由硅晶体缺陷在接触面产生的载流子会破坏材料的电学性质．

作者吴江滨（摘译）

出处《物理通报》 2006年第2期23-23,共1页 Physics Bulletin

关键词封面电子电路电学性质晶体缺陷硅基底硅膜硅晶片 SOI 传感器

分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1魏志义.封面说明[J].物理,2004,33(5):339-339.
2封面说明[J].物理,2004,33(6):423-423.
3来新泉,代国定,臧明相,岳建国,李先锐.基于芯片级的高速电子电路后仿真技术[J].上海交通大学学报,2007,41(S2):41-44. 被引量：1
4秦蓁,秦克诚.封面说明[J].大学物理,2010,29(1). 被引量：1
5天逸机王AD-6[J].实用影音技术,2003(3):59-59.
6封面说明——北京利国电子技术有限公司[J].有线电视技术,1995,2(3):10-10.
7李大伟.封面说明[J].中国工作犬业,2016,0(10):72-72.
8硅元:创新续写国瓷荣耀(封面说明)[J].山东陶瓷,2015,38(5):47-47.
9许京军.封面说明[J].物理,2004,33(12):906-906.
10王中天.高速InGaAsHBT器件和电路[J].半导体情报,1995,32(2):13-18.

物理通报

2006年第2期

浏览历史

内容加载中请稍等...

封面说明——干净的重要性

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史