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GaN单晶薄膜可被切下并被重新放置于绝缘基板上

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摘要 法国Soitec集团报道,他们成功地将氮化镓薄膜从其生长的衬底上取下并被转移到另一基板上。这是全世界第一例置于绝缘基板上的GaN单晶薄膜。该公司的智能切割工艺被研究人员用于GaN薄膜分离并转移到载片上。智能切割工艺可以最佳条件选择基板的力学和热学特性。而无需考虑上面的有源层的性质,从而降低成本并进行大批量生产。该项工艺是朝向蓝色发光管和白色发光管推进的关键一步,这对改善分立式电源的器件性能也很重要。
出处 《现代材料动态》 2006年第2期6-6,共1页 Information of Advanced Materials
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