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锑化铟晶体管工作电压低、开关快
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摘要
美国因特尔公司和Oinetiq公司进行了两年的联合研究,制成了锑化铟晶体管。这些晶体管可在非常低的电压下工作,而仍能快速开关并节省能源,与老式晶体管相比。新晶体管耗能仅及其1/10;而在同等能耗条件下,新晶体管的性能提高了3倍。
作者
杨英惠(摘译)
出处
《现代材料动态》
2006年第2期8-8,共1页
Information of Advanced Materials
关键词
快速开关
晶体管
锑化铟
工作电压
联合研究
节省能源
公司
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
TM564 [电气工程—电器]
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李育林.
WS-1000型卫星电视接收机电路分析与故障检修[J]
.中国有线电视,2002(8):65-67.
2
王红妹,涂洁.
锑化铟磁敏电位器芯片的研制[J]
.红外与激光技术,1991,20(1):30-35.
3
盛柏桢.
松下开发出低功耗CMOS晶体管[J]
.半导体信息,2003(2):29-29.
4
杨英慧.
锂电池阳极材料的最新进展[J]
.现代材料动态,2003(6):1-2.
5
赵东.
中兴通讯信息[J]
.邮电设计技术,2015(8):10-10.
6
羽冬.
冰冻芯片能提高Si芯片的速度[J]
.半导体信息,2006,0(4):33-33.
7
方培生.
InSb磁敏电位器研制[J]
.传感技术学报,1999,12(4):341-343.
8
董宇.
大唐移动LTE网络结构分析解决方案[J]
.移动通信,2013,37(17):20-20.
9
黄新平,黄鹏,陈浩.
InSb磁敏无接触电位器[J]
.国外电子元器件,2000(4):43-43.
10
Dave Cook,胡申明.
自动化偏差法——联合研究优化PCB加工方法[J]
.印制电路信息,1995,0(6):18-21.
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