5nm硅纳米线晶体管

三星公司研究人员开发出一种未来的晶体管工艺：包含两个直径10rim（带翘曲圆形栅）硅纳米线的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），该晶体管具有极好的关（断）态性能，并可用现行光刻设备制作在单晶硅片上可采用自对准、双镶嵌法制作。它的驱动电流为2．64mA／m（n沟道）和1．11mA／um（p沟道），开／关比高达10^8，这项研究成果在2005年12月份于华盛顿举行的国际电子器件会议（IEDM）上发表。