磁控溅射法制备CeO_2-TiO_2紫外吸收薄膜

Prepartation of CeO_2-TiO_2 Thin Films for UV Absorbing by RF Sputtering

采用射频磁控溅射在玻璃基片上沉积具有紫外吸收CeO2-TiO2混和薄膜。通过制备一系列不同物质的量浓度比的，n（CeO2）：n（TiO2）靶材（1．0：0，0．90：0．10，0．80：020，0．70：0．30，0．60：0．40，0．50：0．50，0．40：0．60，0．30：0．70，0．20：0．80，0．10：0．90，0：1．0），研究其紫外吸收性能最佳的物质的量浓度比：TiO2加入CeO2后，改变CeO2的结晶状态并提高UV吸收．采用Raman和XPS表征薄膜的特性，物质的量浓度比值在n（CeO2）：n（TiO2）=0．5：0．5，0．6：0．4时，薄膜为非晶态，并具有高的紫外吸收（98％）和可见光透过率（70％-80％）；XDS分析表明薄膜存在（F^4＋，Ce^3＋和Ti^4＋。

Ultraviolet ray （UV） absorbing coating consisting of a complex oxide of cerium andtitanium was deposited on glass substrates by RF sputtering. These films were deposited at different molar ratio CeO2-TiO2 targets of ,CeO2 to TiO2 （1.0：0,0.90： 10,0.80：0.20,0.70：0.30, 0.60：0.40, 0.50：0.50, 0.40：0.60, 0.30：0.70, 0.20：0.80,0.10：0.90,0： 1.0）. Addition of TiO2 to CeO2 changed the crystallinity and coordination state of CeO2 and improved UV absorption. These films were characterized by Raman spectroscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy and spectrometer. The amorphous phases composed of n （CeO2） ： n （TiO2） （0.6：0.4,0.5：0.5） played an important role in absorbing UV（98% ）with high visible light （70% -80% ）. XPS analysis indicated that tetravalent Ce^4＋ ,Ti^4＋ and trivalenee Ce^3 ＋ were present in the films.