最佳互阻抗宽带光前置放大器设计

本文讨论了利用一个GaAsMESFET(砷化镓金属—半导体场效应晶体管)作为第一级的宽带互阻抗光前置放大器的最佳设计。提出了一种变型的反馈式的共基—共射电路结构,显著地改善了放大器的噪声特性。这种电路结构应用了一个共源极场效应管作为第一级,接着是一个并联反馈的双极性管的第二级。