Ar等离子体CVD沉积金刚石
-
1张一鸣.用ECR等离子体CVD沉积的氮化硅膜特性[J].真空电子技术,1989,2(4):44-49.
-
2陈峥,汤庭鳌,邹斯洵.Sol-Gel法制备的铁电薄膜和Pt/Ti下电极的反应离子刻蚀技术[J].Journal of Semiconductors,1999,20(2):172-176. 被引量：7
-
3可若.沉积参数对PACVD沉积c—BN薄膜形成的影响[J].等离子体应用技术快报,1994(7):16-17.
-
4顾毓沁,余立新.硅基板上CVD沉积金刚石膜的热扩散率和热导率[J].薄膜科学与技术,1994,7(4):281-288. 被引量：1
-
5肖旭萍.PACVD沉积混合相BN薄膜的特性[J].等离子体应用技术快报,1995(3):12-13.
-
6张余春,闫璟,赵尚骞,王文龙,梁文杰.Engineering Double-Walled Carbon Nanotubes by Ar Plasma[J].Chinese Physics Letters,2014,31(8):96-99. 被引量：2
-
7乔辉,胡伟达,叶振华,李向阳,龚海梅.Influence of hydrogenation on the dark current mechanism of HgCdTe photovoltaic detectors[J].Journal of Semiconductors,2010,31(3):116-118. 被引量：1
-
8杨田林,贾绍辉,刘先平,宋淑梅,李延辉,辛艳青,王雪霞.溅射功率对氮化锌薄膜特性的影响[J].光电子技术,2013,33(3):155-159. 被引量：2
-
9季振国,杨成兴,刘坤,叶志镇.热场对雾化裂解CVD沉积的薄膜厚度均匀性的影响[J].材料科学与工程学报,2003,21(4):494-497.
-
10张徐,饶峰,刘波,彭程,周夕淋,姚栋宁,郭晓慧,宋三年,王良咏,成岩,吴良才,宋志棠,封松林.Dry etching of new phase-change material Al_(1.3)Sb_3Te in CF_4/Ar plasma[J].Journal of Semiconductors,2012,33(10):10-15.
;
