SiCl4／CH4／Ar基等离子体中AlInGaP和GaAs的RIE
-
1黄琪.氯—氢混合物中InP的RIBE[J].等离子体应用技术快报,1996(3):6-7.
-
2笑生.InP通路孔的RIE[J].等离子体应用技术快报,1995(4):6-7.
-
3文允监.在磁控微波等离子体中蚀刻微细接触孔[J].等离子体应用技术快报,1995(10):3-4.
-
4普丁.蚀刻化学对SF6基中钨蚀刻的影响[J].等离子体应用技术快报,1996(3):18-19.
-
5笑生.用Cl2对InAlAs／InP进行RBIBE[J].等离子体应用技术快报,1996(3):4-5.
-
6袁晓源.等离子体处理的方法[J].等离子体应用技术快报,1995(5):3-4.
-
7宏声.蚀刻技术的发展现状[J].等离子体应用技术快报,1995(6):1-3.
-
8无.厚度为0．35mm的发光三色LED[J].今日电子,2005(8):108-108.
-
9美科学家开发出新兴微型化无机LED技术[J].硅酸盐通报,2009,28(B08):93-93.
-
10安捷伦为户外标志和信号应用推5mm椭圆形AlInGaP LED[J].电子与电脑,2005,5(12):48-48.
