摘要
介绍了一种非接触式用于测量少子寿命的微波反射法（ＭＲ）。
A contactless method of microwave reflectance (MR) measurement for the minority carrier lifetime in semiconductors was introduced and compared with the photoconduction decay (PCD) measurement method.
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第1期77-80,共4页
Journal of Infrared and Millimeter Waves
关键词
少子寿命
微波反射法
汞镉碲
minority carrier lifetime, microwave reflectance method,contactlees, HgCdTe.
