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摘要
台积电45nm工艺跑前头漫润式曝光显影技术新突破即将迈入建产阶段,日立化成东莞感旋旋光性干膜新厂投产,NEC采用漫入式光刻开发出55nm工艺预计2007年建产,英特尔发布首款45nm工艺芯片晶体管度翻倍。
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期237-239,共3页
Semiconductor Technology
关键词
显影技术
工艺
旋光性
NEC
晶体管
英特尔
日立
光刻
分类号
TN929.53 [电子电信—通信与信息系统]
TB88 [一般工业技术—摄影技术]
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半导体技术
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