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摘要 台积电45nm工艺跑前头漫润式曝光显影技术新突破即将迈入建产阶段,日立化成东莞感旋旋光性干膜新厂投产,NEC采用漫入式光刻开发出55nm工艺预计2007年建产,英特尔发布首款45nm工艺芯片晶体管度翻倍。
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期237-239,共3页 Semiconductor Technology
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