适于薄膜SOI RESURF器件击穿电压模拟的高阶紧致差分格式离散的ADI方法

An ADI Method for the Breakdown Voltage Analysis of Thin-Film SOI RESURF Structure with the High-Order Compact Finite Difference

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摘要采用ADI与高阶紧致差分相结合的方法计算薄膜SOI RESURF结构击穿电压.数值计算表明,这种方法可以降低方程的迭代次数约40%,并明显减少方程的求解时间. The application of ADI and high-order compact finite difference method to the breakdown voltage analysis of thin film SOl RESURF structure. Numerical results present that this method can decrease the number of iterative by 40% and reduce the computation time greatly.

作者于宗光刘战王国章须自明

机构地区中国电子科技集团公司第江南大学信息工程学院江南大学信息工程学院

出处《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期354-357,共4页 半导体学报（英文版）

基金电子元件器件可靠性物理及其应用技术重点实验室基金资助项目(批准号:51433020105DZ6801)~~

关键词 ADI 高阶紧致差分 SOI RESURF 击穿电压 ADh high-order compact finite difference SOl RESURF breakdown voltage

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]

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