CVD法氮化硅及氮化钛涂层试验研究

出用ＣＶＤ法在三种基材上蒸镀氮化硅及氮化钛，同时在镀层交界处镀过渡金属。经试验表明，以氮化硅为主蒸镀材，炉内温度控制在１２５０℃，并选定Ｈ２气导入量为２７００ｃｍ３／ｍｉｎ，可获得较理想的镀层。此复合膜具有高耐磨、耐蚀及良好的隔热性能，大大提高了涂层与基材的结合强度。