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玻璃衬底上中温制备多晶硅薄膜的量子态现象 被引量：1

Quantum State of Poly-Si Films at Middle Temperature on Glass Substrate
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摘要 用PECVD法直接沉积的非晶硅(a-S i:H)薄膜用传统炉在中温退火,然后用拉曼光谱、XRD和SEM分析,发现晶粒大小随退火温度和退火时间呈现量子态现象。分析发现在传统炉中850℃下退火三个小时晶粒大小出现极大值,平均晶粒尺寸为30nm左右。 Amorphous silicon films prepared by PECVD on the glass substrate have been crystallized by conventional furnace annealing （FA） at middle temperature. From the Raman spectra, X-ray diffraction （XRD） and scanning electronic microscope （SEM）, the quantum state in these processions was found and discussed. The crystallized grain size is biggest at 850℃ for 3h by FA.
作者 靳瑞敏 卢景霄 冯团辉 王海燕 张丽伟
机构地区 郑州大学材料物理教育部重点实验室
出处 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期104-106,共3页 Journal of Synthetic Crystals
关键词 PECVD法 非晶硅薄膜 传统炉退火 量子态 晶粒大小 PECVD a-Si ： H film conventional furnace annealing quantum state grain size
分类号 TK51 [动力工程及工程热物理—热能工程]
  • 相关文献

参考文献4

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引证文献1

二级引证文献10

人工晶体学报
2006年 第1期

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