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1.3μm InGaAsP/InP双异质结激光器阈值电流与温度的关系 被引量:1

Temperature Dependence of Threshold Current in 1.3μ/m InGaA.sP/InP Double Heterostrueture Lasers
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摘要 测量了1.3μm InGaAsP/InP DC-PBH 激光器在直流工作条件下,阀值电流密度随温度的变化。应用电子从四元有源区泄漏入 InP 限制层的机理讨论了实验结果。 Measurements are made on the temperature dependence of threshold current density in DC-PBH 1.3μm InGaAsP/InP laser under direct current.The experimental results are discussed in terms of mechanism of electron leakage from the quatemary active region into the InP confining lay.
作者 陈其道
出处 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1990年第2期156-161,共6页 Semiconductor Optoelectronics
关键词 激光器 阈值电流 温度 INGAASP/INP Charactezistic of Semiconductor Laser Carrier Leakage
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