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硅双栅场效应晶体管
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摘要
本文综合各种资料,结合生产实践,以国内已大批量使用的几种不同结构的硅双栅场效应晶体管管芯的解剖分析为基础,介绍其原理和设计考虑、封装形式、关键参数及测试、使用注意事项和常见失效现象、工艺流程和特点。
作者
王英强
机构地区
丹东半导体器件总厂
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1990年第2期5-13,共9页
Semiconductor Technology
关键词
硅双栅
场效应
晶体管
彩电
调谐器
分类号
TN386.4 [电子电信—物理电子学]
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1
吴雄.
双栅场效应晶体管及其应用[J]
.电子与仪表,1995(5):29-31.
2
马树桥.
微波功率双栅 FET 脉冲发射源[J]
.制导与引信,1990,11(1):25-29.
半导体技术
1990年 第2期
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