硅双极晶体管的h_(FE)温度相关性分析及其应用

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摘要本文对硅双极晶体管的h_(FE)温度相关性进行了全面的分析,指出它主要受发射区重掺杂效应支配,也与载流子不同温度下的析出率及载流子迁移率和E_g随温度变化而变化有关。导出了h_(FE)相对变化率的表达式,并由此设计制造了一种低温度变化率的晶体管。

作者翟冬青李彦波张振岭

机构地区河北大学电子系石家庄无线电二厂

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第2期49-52,共4页 Semiconductor Technology

关键词硅双极晶体管温度相关性 HFE

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半导体技术

1990年第2期

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