IGBT及其应用的发展概况

一、前言 1984年,美国B.T.Baliga等首先发表绝缘门极双极晶体管IGBT(Insulated GateBipolar Transistor)。由于IGBT兼备有MOSFET的高输入阻抗、快速性和双极达林顿晶体管(GTR)的高电流密度、低饱和电压的优点,所以深受电路设计者的欢迎。但是,最初由美国G.E开发的IGBT,它的下降时间长(数毫秒)导致开关速度慢,而且内有寄生PNPN晶闸管,该晶闸管在一定工作条件(特别是过流)下掣住,保持导通状态,使IGBT失去自关断能力,这些缺点在一定程度上妨碍了IGBT的推广应用。近两年来。