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发射区禁带变窄及其对NPN型双极晶体管性能影响的刍议

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摘要 本文评述了发射区禁带变窄及其对NPN型双极晶体管性能的影响。再一次阐明了考虑禁带过渡区宽度的“有效禁带差”的重要意义,并指出发射区禁带变窄距发射结一定距离才开始,但“有效禁带差”如何计算尚有待进一步研究。
作者 吴克林
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期21-25,共5页 Semiconductor Technology
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