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发射区禁带变窄及其对NPN型双极晶体管性能影响的刍议
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摘要
本文评述了发射区禁带变窄及其对NPN型双极晶体管性能的影响。再一次阐明了考虑禁带过渡区宽度的“有效禁带差”的重要意义,并指出发射区禁带变窄距发射结一定距离才开始,但“有效禁带差”如何计算尚有待进一步研究。
作者
吴克林
机构地区
马鞍山市晶体管厂
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1990年第4期21-25,共5页
Semiconductor Technology
关键词
NPN型
双极晶体管
发射区
窄禁带
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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半导体技术
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