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硅平面高反压大功率晶体管的设计与工艺
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摘要
本文对高反压平面大功率晶体管制造中集电结终端结构的设计及效果进行了研究,提出了新的设计方法。并探讨了生产工艺中经常出现的芯片成品率低的现象,找到了易于实施的有效方法。
作者
王伟华
机构地区
南京半导体器件总厂
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1990年第4期17-20,共4页
Semiconductor Technology
关键词
硅平面
功率晶体管
反压
设计
工艺
分类号
TN323.4 [电子电信—物理电子学]
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半导体技术
1990年 第4期
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