快速热工艺(RTP)技术及其在VLSI制备中的应用

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摘要快速热工艺(RTP)是随着VLSI的迅速发展而发展起来的一项新型的快速半导体器件工艺。本文阐述了RTP技术的基本原理、主要工艺特点,以及在超薄栅介质膜的制备,超薄硅外延层的生长,离子注入后的退火和硅化物的形成等多种VLSI制备工艺中的应用。最后展望了RTP的前景和指出了尚待解决的问题。

作者宋登元

机构地区河北大学电子系

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期11-16,20,共7页 Semiconductor Technology

关键词快速热工艺 VLSI 工艺 RIP

1黄宜平,C.A.Paz de Araujo.快速热工艺氧化法生长超薄SiO_2层的研究[J].Journal of Semiconductors,1989,10(4):294-300. 被引量：1
2黄宜平,CarlosA.PazDeAraujo.快速热工艺系统中的氮-硅反应[J].固体电子学研究与进展,1989,9(2):208-214.
3冯文修,陈蒲生,黄世平.用快速热工艺氮化超薄SiO_2膜的研究[J].华南理工大学学报（自然科学版）,1995,23(12):121-126. 被引量：1

半导体技术

1990年第4期

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