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肖特基势垒特性参数测试数据的计算机处理

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摘要 本文主要讨论根据正向J_F-V特性和C-V特性测试数据解析肖特基势垒高度和理想因子的数据处理方法和计算程序。以溅射工艺形成的Pt-Si接触为例,给出了在不同温度和退火气氛条件下热处理后的测试结果,并进行了简要讨论。
作者 田敬民
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期56-60,共5页 Semiconductor Technology
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