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VDMOS功率场效应器件的设计与研制 被引量:1

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摘要 VDMOS功率场效应器件是八十年代迅速发展起来的新型功率器件,由于它比双极型功率器件具有许多优良性能:如高输入阻抗、低驱动电流、开关速度快、工作频率高、具有负的电流温度系数、热稳定性好,安全工作区大,没有二次击穿及高度线性的跨导等,已广泛地应用于各种电子设备中,如高速开关电路、开关电源、不间断电源、高功率放大电路、高保真音响电路、射频功放电路、电力转换电路、电机变频调速、电机驱动、固体继电器、控制电路与功率负载之间的接口电路等。
作者 廖太仪
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第5期29-35,共7页 Semiconductor Technology
  • 相关文献

参考文献1

  • 1陈星弼.场限环的简单理论[J]电子学报,1988(03).

同被引文献3

引证文献1

二级引证文献1

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