高能电子束辐照的硅表面的XPS分析

受能量7MeV电子束辐照的N型单晶硅在表面层可形成硅氧化物,用X射线光电子谱仪(XPS)对其作了分析测量,测量数据用一种简易的计算机程序进行了谱线拟合处理。结果表明,和单晶硅的热氧化相似,在SiO_2/单体硅界面处,有Si_2O_3、SiO、SiO_2等数种硅的氧化物生成。