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单片CMOS闪烁电路的研制

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摘要 本文主要介绍一种单片CMOS闪烁电路的基本构造、设计和研制。提出了CMOS振荡器的RC网络的设计方法。研制测试表明,该电路可输出1~4Hz、大于5mA的电流,符合设计的要求。
作者 陆瑞良 张芸
机构地区 苏州半导体总厂
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第6期46-52,共7页 Semiconductor Technology
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参考文献1

  • 1厦门大学物理系半导体物理教研室.半导体器件工艺原理[M]人民教育出版社,1977.

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