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紫外光/臭氧干法去除光刻胶速率的提高

Rate Enhancement of UV/Ozone Dry Depolymerization of Photoresists
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摘要 本文讨论影响紫外光/臭氧干法去除光刻胶速率的几个因素、提高去胶速率的途径。在此基础上,介绍一种新型的实验装置以及应用该装置进行实验的结果。 This paper discusses several factors influencing the UV/ozone dry depolymerization rateand the ways enhancing the depolymerization rate of photoresists.A new type apparatus andthe experimental results obtained with this apparatus are described.
作者 谈凯声
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第4期301-304,共4页 半导体学报(英文版)
关键词 紫外光/臭氧 干法 清除 光刻 胶体 UV/ozone Photoresists Dry depolymerization Depolymerization rate
  • 相关文献

参考文献3

  • 1谈凯声,半导体学报,1988年,10卷,236页
  • 2谈凯声,电子科学学刊,1986年,8卷,155页
  • 3谈恺声,真空科学和技术,1986年,6卷,42页

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