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Hg_(1-x)Cd_xTe反型层子能带结构的实验研究 被引量:2

Experimental Study of Inversion Layer Subband Structure on HgCdTe
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摘要 本文在4.2K下测定了液相外延HgCdTe MIS结构样品的电容谱,磁阻振荡以及迴旋共振效应,并从实验测量结果,采用物理参数拟合法,确定了该样品在电量子限条件下反型层电子子能带结构,包括基态子能带能量E_o、费密能级E_F,子能带电子有效质量m~*(E_F)、m~*(E_o)、反型层平均厚度Z_i、耗尽层厚度Z_d,以及它们随子能带电子浓度N_s的变化。 The measurements of capacitance spectroscopy, magnetotransport oscillation and cyclotronresonance for LPE HgCdTe MIS structure samples are performed at temperature of 4.2 K, andthe inversion layer electron concentration N_3 dependent subband structures including subbandenergy E_0, Fermi energy E_f, effective mass M~*, average depth of inversion layer Z_0 anddepletion layer depth Z_d in the electric quantum limit are determined quantitatively from theexperimental measurements by using the physical parameter fitting method (PPFM).
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第5期332-340,共9页 半导体学报(英文版)
基金 国家自然科学基金
关键词 HGCDTE 能带结构 反型层子 实验 2 DEG Subband HgCdTe Surface Interface
  • 相关文献

参考文献2

  • 1褚君浩,红外与毫米波学报,1989年,8卷,327页
  • 2袁皓心,红外与毫米波学报,1987年,6卷,3页

同被引文献13

  • 1黄河,郑国珍,童斐明,汤定元.表面氧化层对Hg_(1-x)Cd_xTe霍耳数据的影响[J].红外与毫米波学报,1993,12(4):309-314. 被引量:1
  • 2刘坤,褚君浩,李标,汤定元.p-HgCdTe反型层中子能带电子的基态能量[J].物理学报,1994,43(2):267-273. 被引量:3
  • 3刘坤,物理学报,1994年,43卷,2期,268页
  • 4褚君浩,Phys Rev,1991年,44卷,4期,1717页
  • 5褚君浩,中国科学.A,1990年,5期,515页
  • 6Yang M J,Appl Phys Lett,1989年,54卷,3期,265页
  • 7褚君浩,红外与毫米波学报,1989年,8卷,5期,327页
  • 8孙恒慧,半导体物理实验,1985年
  • 9刘坤
  • 10褚君浩,红外研究,1989年,8卷,5期,327页

引证文献2

二级引证文献1

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