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静压下GaAs_(1-x)P_x混晶的喇曼散射

Raman Scattering of GaAs_(1-x)P_x Mixed Crystals under Hydrostatic Pressure
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摘要 在77K下和0—60kbar静压范围内测量了GaAs_(1-x)P_x(0.76 ≤x≤1)混晶的喇曼散射谱。得到了这些混晶的类GaP的LO模的压力系数。发现在所研究的x范围内GaAs_(1-x)P_x混晶的类GaP的LO模的压力行为与Gap的LO模基本相同。利用测得的压力系数计算了类GaP的LO模的模式Gruneisen参数。 The Raman scattering spectra of GaAs_(1-x)P_x (0.76≤x≤)mixed crystals have been measured under hydrostatic pressure ranging from 0 to 70 kbar at 77 K. The pressure coefficients of GaP-like LO modes of GaAs_(1-x) P_x mixed crystals is obtaind.It is found that the pressure behaviour of GaP-like LO modes of GaAs_(1-x)P_x mixed crystals is similar to that of LO mode of GaP crystal. The mode-Gruneisen parameters of GaP-like LO modes of GaAs_(1-x)P_x mixed crystals have been calculated from the measured pressure coefficients.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第9期709-712,共4页 半导体学报(英文版)
基金 国家自然科学基金
关键词 GAASP 混晶 压力 喇曼散射 Raman scattering Pressure Mixed crystal GaAsP
  • 相关文献

参考文献2

  • 1汪兆平,半导体学报,1985年,6卷,634页
  • 2李国华,半导体学报,1984年,5卷,558页

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