GaAs MOS瞬态电容特性
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1解冰,何燕冬,许铭真,谭长华.一种新的确定少子产生特性的方法——瞬态电容弛豫谱方法[J].电子学报,1999,27(5):8-10.
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2曹国琛,胡才雄,蔡仲麟,吕春鸿,沈火根,张树清,金胜祖.综合吸除对硅外延片（N／N^＋）性能的影响[J].上海有色金属,1994,15(6):321-325.
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3何燕冬,许铭真,谭长华.脉冲MOS结构少子产生寿命的统一表征[J].电子学报,1996,24(8):19-22. 被引量：1
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4吴春瑜,张久惠.离子注入MOS结构少子产生寿命的确定[J].辽宁大学学报（自然科学版）,1995,22(1):51-54. 被引量：1
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