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功率晶体管热疲劳研究

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作者郭自强

出处《半导体杂志》 1990年第3期36-37,共2页

关键词功率晶体管热疲劳烧结工艺

分类号 TN323.405 [电子电信—物理电子学]

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1G.L.Holz,苏世民.改善高密度封装的烧结工艺[J].半导体情报,1991,28(4):56-58.
2陈贤明.烧结工艺对BaTiO_3系PTC材料性能的影响[J].声学与电子工程,1992(2):43-46.
3王中文,石广元.烧结工艺对可控硅参数的影响[J].辽宁大学学报（自然科学版）,1998,25(1):47-51.

半导体杂志

1990年第3期

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