摘要
针对常见的低k介质材料分析了其化学机械全局平坦化的机理,并进一步探讨了低k介质化学机械抛光中包括压力、磨料、pH值和温度在内的几个因素对于抛光速率和表面状态等方面的影响。
The tric material is perature in the rate and surface chemical-mechanical global planarization mechanism to the common low＆ dielecanalyzed. The effect of several factors including pressure, abrasive, pH and temchemical-mechanical polishing process of low＆ dielectric material on the polishing appearance are discussed.
出处
《微纳电子技术》
CAS
2006年第3期154-158,共5页
Micronanoelectronic Technology
基金
天津市重点自然科学基金(043801211)
微电子学与固体电子学:河北省重点学科
